它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理，以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量；電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)（ε），高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。本Q表依照國家計(jì)量檢定規(guī)程：“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。

 1 特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～70MHz,測(cè)試信號(hào)。
◎ 低至20nH殘余電感，保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置，能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。

 2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 測(cè)試信號(hào)頻率范圍：1kHz～70MHz，數(shù)字合成，可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié)，五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測(cè)量范圍：1～1000四位數(shù)顯，分辨率0.1Q。分100、316、999三檔，量程可自動(dòng)切換。
2.3 Q值固有誤差：±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測(cè)量范圍：0.1µH～1000mH。
2.5 電感測(cè)量誤差：≤5%±0.02µH
2.6 調(diào)諧電容特性：
2.6.1可調(diào)電容范圍：40pF～500 pF。
2.6.2 精確度：±1% 或0.5pF。
2.6.3微調(diào)電容器：-3pF～0～+3pF，分辨率：0.2pF
2.6.4殘余電感值：約30nH。
2.7 Q預(yù)置功能：Q預(yù)置范圍：1～1000均可。被測(cè)件達(dá)到預(yù)置值后有“GO”顯示和蜂鳴聲提示。不合格件則顯示“NO GO”。
2.8 外形尺寸及重量：415×180×170（mm）,6.5kg。

BH916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置（數(shù)顯）

   BH916D介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與C類Q表及電感器配用，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
  本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計(jì)算得到。同樣，由平板電容器的刻度讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

1工作特性
1.1 平板電容器：
1.1.1 極片尺寸：
 c類-38：Φ38mm.
 c類-50：Φ50mm. 
1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：
  ≥8mm， ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距：
  25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值
  ≤2.5×10-4

附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

線圈號(hào) 測(cè)試頻率         Q值   分布電容p     電感值
  9    100KHz          98     9.4          25mH
  8    400KHz         138    11.4        4.87mH
  7    400KHz         202    16          0.99mH
  6      1MHz         196    13          252μH
  5      2MHz         198     8.7       49.8μH
  4    4.5MHz         231      7          10μH
  3     12MHz         193     6.9       2.49μH
  2     12MHz         229     6.4      0.508μH
  1     25MHz 50MHz  233211   0.9      0.125μH

標(biāo)簽：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀  介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀

a類常用介電常數(shù)測(cè)試儀：

滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在
內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、 概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的
物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗
和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，
并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采
用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值
顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表
中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試
頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電
容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的
特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、儀器的技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱誤差
項(xiàng) 目GDAT-A
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％±滿度值的2％；
工作誤差≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％±滿度值的
2％；
工作誤差≤8％±滿度值的
2％。
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng) 目GDAT-A
直接測(cè)量范圍1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度
30～500pF
150pF以下±1.5pF；
150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4．信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目GDAT-A
頻率范圍10kHz～50MHz
頻率分段
（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
5．Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍：5～1000。
6．Q表正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
8．產(chǎn)品配置：
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；
b.電感9只；
c.夾具一 套